جدول المحتويات
النقاط الرئيسية
- إطلاق نظام High-NA EUV: SK Hynix تثبت نظام الطباعة الضوئية High-NA EUV في مصنع M16 بكوريا الجنوبية.
- زيادة الكثافة: النظام الجديد يوفر كثافة ترانزستورات أعلى بمعدل 2.9 مرة مقارنةً بالأنظمة السابقة.
- تحسين الدقة: قدرة النظام على تحقيق دقة تصل إلى 8 نانومتر، مقارنةً بـ 13 نانومتر في الأنظمة التقليدية.
- ميزة تنافسية: SK Hynix تتفوق على منافسيها مثل سامسونج وميكرون في إنتاج الذاكرة من الجيل التالي.
التفاصيل
أعلنت شركة SK Hynix عن تركيبها لأول نظام High-NA EUV للطباعة الضوئية في مصنعها M16 بمدينة إيشون بكوريا الجنوبية. هذا النظام، الذي تم تطويره بالتعاون مع ASML، يهدف إلى تسريع تطوير الذاكرة الديناميكية من الجيل التالي (DRAM) وتعزيز القيادة المحلية في مجال الذاكرة المدعومة بالذكاء الاصطناعي.
النظام الجديد، المعروف باسم ASML TWINSCAN EXE:5200B، يوفر زيادة بنسبة 40% في الفتحة العددية (NA) مقارنةً بالأنظمة التقليدية، مما يسمح بإنتاج ميزات أصغر بمعدل 1.7 مرة. كما أن النظام يمكنه تحقيق دقة تصل إلى 8 نانومتر، مما يمثل تحسناً كبيراً عن دقة 13 نانومتر الحالية.
لماذا هذا الخبر مهم؟
يمثل تركيب نظام High-NA EUV خطوة استراتيجية لشركة SK Hynix، حيث يضعها في مقدمة المنافسة في سوق الذاكرة. مع التوجه نحو DRAM من الجيل التالي، سيمكن هذا النظام الشركة من تطوير هياكل جديدة بسرعة، مما يعزز قدرتها على تلبية الطلب المتزايد في السوق. كما أن هذه الخطوة تعزز استقرار سلسلة التوريد من خلال التعاون الوثيق مع الشركاء.
خلفية سريعة
تأسست SK Hynix في عام 1983، وهي واحدة من الشركات الرائدة في صناعة أشباه الموصلات. منذ عام 2021، بدأت الشركة في توسيع استخدام تقنيات EUV في إنتاج DRAM، مما يعكس التزامها بالابتكار والتطوير التكنولوجي. تركيب نظام High-NA EUV يمثل علامة فارقة في تاريخ الشركة ويعزز موقعها في السوق العالمي.
المصدر: الرابط الأصلي
